フラーレンC₆₀粒子を用いた超微細なメモリーデバイスを提案

− ナノ空間に閉じ込めたフラーレン鎖の伝導メカニズムを解明 −

 

千葉工業大学 大学院 工学研究科 修士課程 2年 竹井 慎登、同 工学部 機械電子創成工学科 菅 洋志 教授、同 卒業生 竹内 美洋、物質・材料研究機構 ナノアーキテクトニクス研究材料センター 塚越 一仁 主任研究者 、同 若原 孝次 主席研究員、筑波大学 岡田 晋 教授、関西学院大学 若林 克法 教授の研究グループは、ナノ空間に閉じ込めたC₆₀フラーレンの集合に電子注入することで自己組織的に導電性C₆₀フラーレン鎖を形成できることを見いだし、さらに、そのC₆₀フラーレン鎖は、室温環境において、電気的な制御によって電気抵抗が高い状態と低い状態に切り替わり、不揮発な抵抗スイッチとして機能することを発見しました。抵抗スイッチは情報を保管するメモリーの原理となるため、炭素原子が60個連なってボール形状となった、わずか直径1 nm程度のC₆₀フラーレン分子の動きを原理とする超微細なメモリーを形成できることを示唆しています。本技術は、情報量が増大する将来社会に必要とされている2-3 nmのメモリー創成への道を拓きます。なお、この成果は、世界最大の学術団体の一つ 米国化学学会 (American Chemical Society)が発刊する査読付き学術雑誌ACS Applied Electronic Materialsに2023 年 5 月 16 日付、掲載されました。また、本論文はACS Editor’s Choiceに選定されており、６ヶ月間どなたでもご覧いただけます。

研究内容の詳細な解説については、千葉工業大学のWeb page から、pdfファイルがダウンロード可能です。

 

■原著論文情報

雑誌名: ACS Applied Electronic Materials (公開日: 2023年5 月 16日)

論文題目：Electromechanical Switching of a C₆₀ Chain in a Nanogap 

著者：

竹井慎登 Masato TAKEI, 竹内美洋 Michiro TAKEUCHI, 菅 洋志 Hiroshi SUGA, 若原 孝次Takatsugu Wakahara,

若林 克法　Katsunari Wakabayashi, 岡田 晋 Susumu Okada, 塚越 一仁 Kazuhito Tsukagoshi

URL：https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c00253

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