先進エネルギーナノ工学科・葛原研究室4年生のハーバート甲斐君が、11月27日にオンラインで開催された電子デバイス国際会議 IEEE IMFEDK 2020において、IMFEDK Poster Paper Awardに選ばれました。

受賞論文題目は、”Effect of recoil-implanted N atoms on defect formation in Mg-implanted GaN”です。