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教授 日比野 浩樹 hibino.hiroki★kwansei.ac.jp 個人ページ

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学生

学年 名前 研究テーマ
M2 福家 聖也 グラフェン上GaN成長へのAlNバッファ層の影響(卒業研究)
M2 原田 哲匡 熱分解によるSiC上グラフェンの結晶成長(卒業研究)
M2 山本 凌 TERS用のAg探針作製(卒業研究)
M1 石井 太樹 NaCl触媒を用いたCVD法にるc面サファイア上MoS2の結晶成長制御(卒業研究)
M1 中尾 拓登 h-BN/グラフェン縦型ヘテロ構造のCVD合成(卒業研究)
M1 川合 良知 多結晶Cu箔の(111)単結晶化およびステップ形状の制御(卒業研究)
B4 入江 信之祐  
B4 千葉 憲人  
B4 八木 龍斗  
B4 友本 巧朗  

卒業生

年度 名前 研究テーマ
2020 水野 将吾

チップ増強ラマン分光法に向けた銀探針の作製と二次元物質の合成(修士論文)

Ag粒子によるSiC上グラフェンの表面増強ラマン分光(卒業研究)

2020 村瀬 広高

CVDグラフェンとCVD六方晶窒化ホウ素のvan der Waalsヘテロ構造(修士論文)

CVDグラフェンFETの作製と電気特性解析(卒業研究)

2020 有田 祐馬 熱アニールによるNiの単結晶化及び単結晶基板上でのh-BNのエピタキシャル成長(卒業研究)
2020 小島 京也 PVD法によるSnSの作製(卒業研究)
2020 重 裕介 CVDグラフェンのBubbling転写プロセス構築(卒業研究)
2020 佐藤 昌信 SiC熱分解によるバッファ層およびグラフェンの形成制御(卒業研究)
2019 牧野 竜市

グラフェンとh-BNのヘテロ構造成長制御とSEMによる二次元物質の回転ドメイン評価(修士論文)

CVD法によるCu基板上における六方晶窒化ホウ素の成長(卒業研究)

2019 川口 桂吾 化学気相成長法によるBCN成長(卒業研究)
2019 岩崎 健太 CVD成長MoS2を用いたFET作製(卒業研究)
2019 井上 陽介 NaClを用いたWS2の結晶成長(卒業研究)
2019 藤本 大輝 CVD法によるh-BN/グラフェン縦ヘテロ構造作製(卒業研究)
2018 高田 匡平

c面サファイア上MoS2のPL強度分布の起源と形状異方性(修士論文)

CVD法によるAg箔上へのグラフェン成長(卒業研究)

2018 小松 直人 二次元物質をバッファ層に用いたGaNのMBE成長とその評価(卒業研究)
2017 小川 晃平

チップ増強ラマン分光法による低次元物質のナノイメージング(修士論文)

STMとTERSによるグラフェンの観察(卒業研究)

2017 岡本 夕輝 Ni薄膜上におけるグラフェン、六方晶窒化ホウ素の成長とその転写(卒業研究)
2017 金田 直弥 遷移金属ダイカルコゲナイドの成長と配向性(卒業研究)
2016 渡邉 雄介 CVDグラフェン成長における質と量の制御(卒業研究)
2016 風早 俊輝 金属基板上における六方晶窒化ホウ素のCVD成長(卒業研究)
2016 佐原 圭優 CVD法によるAl2O3上のMoS2成長(卒業研究)
2015 藤枝 大地 Ag上のグラフェンCVD成長(卒業研究)
2015 岩井 智史 Cu上グラフェンCVD成長における核形成制御(卒業研究)

卒業生進路

(株)島津製作所、兵庫県教員、グンゼ(株)、大日精化工業(株)、TDK(株)、ローム(株)、キオクシア(株)、関西電力(株)、(株)富士通ゼネラル、(株)PALTAC、富士電機(株)、(株)アドバンテストなど

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