メンバー

役職 名前 連絡先
教授 鹿田 真一 SShikata★kwansei.ac.jp

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学生

学年 名前 研究テーマ
19B 20M2

土屋 俊貴

佐藤 雄哉

稲田 力

岡崎 雅哉

黒松 大暉

奈良 佳樹

竹内 茉莉花

卒論“ダイヤモンドSAWデバイスにおけるScAlN圧電薄膜評価”

卒論“X線トポグラフィによるCVDダイヤモンドの欠陥解析”

卒論“ダイヤモンド結晶欠陥のデバイスに及ぼす影響評価”

卒論“ハーフミクロン微細加工による高周波SAWデバイス試作“

卒論“NVセンターによるダイヤモンド薄膜成長時の欠陥観察”

卒論“ダイヤモンドのエピタキシャル成長膜欠陥がデバイス特性に及ぼす影響評価”

卒論“同位体組成制御した立方晶窒化ホウ素(cBN)の光学特性評価”

20B 21M1

畑下 昂平

安岡 幹貴

藤井 勇気

卒論 “ScAlN/多結晶ダイヤモンドを用いた4GHz SAWデバイス試作”

卒論 “基板表面状態がダイヤモンド縦型デバイスに及ぼす影響”

卒論 “CVDによるダイヤモンドエピタキシャル薄膜の転位解析”

21B

坪倉 拓夢

中村 あみ

外山 正悟

 

卒業生

年度 名前 研究テーマ
15B17M

土田有記

山口浩司

亀井栄一

修論 “ラマン分光法による高濃度ドーピングダイヤモンド結晶の評価”

修論 “ダイヤモンドの種結晶とエピタキシャル膜の結晶歪と欠陥評価”

修論 “X線トポグラフィによるダイヤモンドHPHT単結晶の欠陥評価”

16B 高橋裕之 卒論 “絶縁性ダイヤモンド種結晶のX線トポグラフィ解析”
17B

松山悠夏

藤巻菜奈子

卒論 “X線トポグラフィによるダイヤモンドエピ成長に関する欠陥評価”

卒論 “ダイヤモンド結晶欠陥・微小角粒界のデバイス特性に及ぼす影響評価”

16B18M

松下晃生

明石直也

塚原隆太

修論 ”電子線後方散乱回折法によるダイヤモンド結晶の配向性評価”

修論 ”ダイヤモンド結晶転位の縦型デバイス特性に及ぼす影響評価”

修論 “ダイヤモンドの点欠陥NVセンターと結晶欠陥に関する研究”

19B

廣畑航希

卒論”HPHT成長結晶ダイヤモンドにおける転位の特徴と密度”

17B19M

河田快

小林勇介

松岡実李

修論“禁制反射を用いたダイヤモンドの結晶性評価”

修論“ScAlN/ダイヤモンドSAWデバイスの作製・評価”修論“ラマン分光法によるn型リンドープダイヤモンドの結晶評価”

18B20M

宮嶋 孝輔

見方 尚輝

修論 “X線トポグラフィによるダイヤモンド単結晶のBandA欠陥同定”

修論 “ダイヤモンド結晶転位が縦型デバイス特性に及ぼす影響評価”

20B

池野 敬太

植田 悠馬

卒論 “ダイヤモンドX線トポグラフィ像における転位長解析”

卒論 “p+ HPHT種結晶ダイヤモンドの欠陥成長解析”

 

進路

<エレクトロニクス>

富士電機(株)4名、三菱電機(株)4名、(株)村田製作所3名、京セラ(株)1名

<機械>

(株)スクリーンH1名、デンヨー(株)1名

<自動車>

(株)デンソー1名、矢崎総業(株)1名、(株)ジェイテクト1

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