1. 鹿田 真一 教授(極限材料・デバイス研究室)
  2. 研究内容
  3. 究極の省エネルギーを実現するためのパワー半導体デバイスを目指したダイヤモンドウェハ及びデバイス研究開発

究極の省エネルギーを実現するためのパワー半導体デバイスを目指したダイヤモンドウェハ及びデバイス研究開発

パワー半導体デバイスは、インバーター制御に代表される省エネルギー電力制御を担うキーコンポーネントであり、次世代材料としてワイドギャップ半導体の研究開発が進んでいる。SiCが実用化開始され、省エネルギー効果が明らかになりつつある中、究極の材料ダイヤモンドにも注目が集まっている。デバイス実現の基盤となるダイヤモンドウェハの開発、ダイヤモンドの優位性を実証するためのデバイス開発及びそれに至るための結晶成長、プロセス開発などを手掛ける。

参考解説:応用物理 第82巻 第4号(2013)pp.299-304

「パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド半導体の開発状況」

パワーデバイス応用に向けたダイヤモンド半導体の開発状況

http://www.jsap.or.jp/ap/2013/04/ob820299.xml

1.ダイヤモンドウェハ

パワー半導体のウェハとして不可欠である (1)大面積化 (2)低欠陥 (3)低抵抗 の単結晶ダイヤモンドの開発を行っている。

今年度は、(2)低欠陥ウェハ開発を中心に取り組む。

科学研究費助成事業 基盤研究(A)一般 課題番号25249036 代表:鹿田真一

(産業技術総合研究所 及び 熊本大学大学院 と共同研究)

 

2.ダイヤモンドデバイス

パワー半導体デバイスの実証のため、テストデバイスとしてショットキーバリアダイオードなどを取り上げ、冷却フリー・低損失・高耐圧・高出力デバイスを目指す。

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